휴대폰 하드웨어
Mi Pad 5 시리즈 공식 발표: 8월 10일 MIX 4와 함께 출시, 스타일러스 지원
샤오미(Xiaomi)는 오늘 8월 10일 기자간담회에서 오랫동안 기다려온 샤오미 미 태블릿 5 시리즈가 샤오미 MIX4와 함께 공개될 것이라고 공식 발표했습니다.
슬로건으로 보면 “인생을 꿈꾸다, 직접 글을 쓰다” 포스터와 마찬가지로 Mi Tablet 5 시리즈는 직각 프레임 또는 알루미늄 합금 프레임이 있는 스타일러스 펜을 지원합니다.
이제 Snapdragon 860 버전(33W 고속 충전 지원)과 두 가지 Snapdragon 870+67W 고속 충전 버전을 포함하여 세 가지 새로운 Xiaomi 태블릿을 모두 네트워크에서 사용할 수 있는 것으로 알려졌습니다. 상위 모델은 5G를 지원하며, 세 모델 모두 2K를 사용합니다. 120Hz LCD 화면.
새로운 에너지 차량
이상적인 ONE 자동차 지도는 불만이 가장 많은 지역이 됩니다. 네트워크 카드 연결이 끊어지고 경험이 모바일 지도만큼 좋지 않습니다.
5월 25일, 2021년형 Ideal ONE이 공식 출시되었으며, 가격은 상징적인 10,000위안 인상에 불과했습니다. 그러나 차량의 기술 구성, 특히 L2 보조 주행 기능은 소프트웨어 및 하드웨어 성능을 크게 향상시켰습니다.
그러나 최근 자동차 소유자가 증가함에 따라 일부 자동차 소유자는 새로운 Ideal ONE에서 많은 문제를 발견하여 사용자 경험에 영향을 미쳤습니다.
최근 많은 새로운 Ideal ONE 자동차 소유자들이 Ideal APP 커뮤니티에서 자동차 지도 문제에 대해 불만을 토로했습니다. 지도 무효화, 지도 오인 등의 문제가 잇달아 등장해 자동차 소유자의 일상 이용에 직접적인 영향을 미치고 있다.
차주 답변에 따르면 "두 번의 시스템 업데이트 후에도 문제가 해결되지 않았다. 오토내비 지도 보조 내비게이션 화면에서 어떤 방향으로 회전해도 왼쪽 상단 방향 표시는 우회전만 되고 움직이지 않는다"고 한다. "터널에 들어가면 지도가 실패합니다."
“내비게이션에서 지도를 수동으로 축소한 후에는 원래의 현재 경로 지도 모드를 자동으로 복원할 수 없습니다. 휴대폰의 지도 내비게이션만큼 좋지는 않습니다.” 사용자 경험에 영향을 미침”. 지도 표시 오류에도 지도를 왼쪽으로 돌려 오른쪽으로 표시하는 큰 버그가 있을 예정입니다.
현재 이상적인 ONE 자동차 지도는 제3자 공급업체인 AutoNavi, Tencent 등과 협력하여 개발 중이지만 현재 소프트웨어와 하드웨어를 매칭하는 데 많은 문제가 있는 것으로 알려졌습니다.
BYD 블레이드 배터리 또는 Tesla 공급
8월 6일 오늘 밤, 신에너지 자동차에 관한 빅 뉴스가 끊임없이 나옵니다. 하나는 백악관과 주류 자동차 제조사들이 모두 10년 내 신에너지차 판매 비중이 50%에 가까울 것이라고 밝혔고, 또 다른 소식은 BYD에서 나온 것이다.
BYD가 테슬라에 공급을 앞두고 있는 것으로 알려졌다. “블레이드 배터리” 내년 2분기에 출시될 예정이며, 현재 장착된 Tesla 모델에는 “블레이드 배터리” C-샘플 테스트 단계에 들어갔습니다.
기타
샤오미, 사상 처음으로 삼성·애플 제치고 글로벌 스마트폰 시장점유율 1위
8월 6일자 외신 네오윈은 올해 6월 중국 휴대폰 브랜드 샤오미가 처음으로 삼성과 애플을 제치고 글로벌 스마트폰 시장을 주도했다고 보도했다.
카운터포인트리서치 최신 자료에 따르면 샤오미는 시장점유율 17.1%로 세계 1위를 차지하고 있다. 삼성전자는 15.7%로 2위로 밀려났고, 애플은 14.3%로 3위를 차지했다.
에스MIC: FinFET 기술이 월 15,000개 생산에 도달했습니다.
어젯밤 SMIC는 2분기 재무 보고서를 발표했습니다. 2021년 2분기 매출은 13억4000만달러로 전년 동기 대비 43.2% 증가했다. 2분기 총이익은 4억 500만 달러로 전년 동기 대비 62.9% 증가했다.
오늘 아침 SMIC의 공동 CEO인 Zhao Haijun은 2분기 컨퍼런스 콜에서 다음과 같이 말했습니다. “당사의 FinFET 공정은 월 15,000개 생산에 도달했으며 고객이 다양해지고 다양한 제품 플랫폼이 도입되었습니다. (이부분) 생산능력이 부족해 고객들이 계속 들어오고 있습니다.”
현재 TSMC와 삼성은 모두 5nm/7nm 공정 부문에서 FinFET 구조를 사용하고 있지만, 차세대 3nm 공정에서는 트랜지스터 구조 선택에 차이가 있습니다. 삼성은 GAA 구조를 사용하기로 결정했고, TSMC는 견고성을 고려하여 1세대 3nm 공정에서 FinFET 기술을 계속 사용하기로 결정했습니다.
최근 삼성 파운드리는 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터 아키텍처를 기반으로 3nm 칩을 테이프아웃하고 나노시트를 사용하여 MBCFET(멀티 브리지 채널 전계 효과 트랜지스터)를 제조했습니다. 이는 트랜지스터 성능을 크게 향상시키고 주로 FinFET 트랜지스터를 대체할 수 있습니다. 기술. 삼성의 부사장이자 파운드리 영업 및 마케팅 이사인 Charlie Bae는 다음과 같이 말했습니다. “GAA 구조를 기반으로 한 차세대 공정 노드(3nm)를 통해 삼성은 기술 리더십을 강화하는 동시에 새로운 스마트 커넥티드 세상을 선도하는 데 앞장설 것입니다.”
분석에 따르면 2nm는 FinFET 구조에서 GAA 구조로의 완전한 전환을 위한 기술 노드가 될 수 있습니다. Planar FET 및 FinFET을 경험한 후 트랜지스터 구조는 전체적으로 GAAFET 구조로 전환됩니다. IRDS(International Device and System Roadmap) 계획에 따르면 FinFET 구조는 2021~2022년 이후 점진적으로 GAA 구조로 대체될 예정이다.
