سخت افزار تلفن همراه
معرفی رسمی سری Mi Pad 5: همراه با MIX 4 در 10 آگوست منتشر شد، از قلم پشتیبانی می کند
شیائومی امروز رسماً اعلام کرد که سری تبلت 5 شیائومی که مدت ها در انتظار آن بودیم همراه با شیائومی MIX4 در کنفرانس خبری 10 آگوست رونمایی خواهد شد.
از شعارش قضاوت کنیم “رویای زندگی، خودت بنویس” و پوسترها، سری Mi Tablet 5 از قلمهای قلم با قابهای زاویه راست یا قابهای آلیاژ آلومینیوم پشتیبانی میکنند.
گزارش شده است که هر سه تبلت جدید شیائومی از جمله نسخه اسنپدراگون 860 (پشتیبانی از شارژ سریع 33 واتی) و دو نسخه شارژ سریع اسنپدراگون 870+67 وات اکنون در شبکه در دسترس هستند. مدل های برتر از 5G پشتیبانی می کنند و هر سه مدل از 2K استفاده می کنند. صفحه نمایش LCD 120 هرتزی.
خودروهای انرژی نو
نقشه ماشین Ideal ONE بدترین منطقه برای شکایات می شود: کارت شبکه قطع می شود، تجربه به خوبی نقشه تلفن همراه نیست
در 25 می، Ideal ONE 2021 به طور رسمی راه اندازی شد و قیمت آن تنها 10000 یوان افزایش نمادین داشت. با این حال، پیکربندی فناوری خودرو، به ویژه عملکرد رانندگی با کمک L2، قابلیت های نرم افزاری و سخت افزاری را تا حد زیادی بهبود بخشیده است.
با این حال، اخیرا با افزایش مالکان خودرو، برخی از دارندگان خودرو مشکلات زیادی را در ONE ایده آل جدید کشف کرده اند که تجربه کاربری را تحت تاثیر قرار داده است.
اخیراً، بسیاری از دارندگان خودروهای جدید Ideal ONE از مشکلات نقشه خودرو در انجمن Ideal APP شکایت کرده اند. مشکلاتی مانند بی اعتباری نقشه و گمراه کردن نقشه یکی پس از دیگری پدیدار شده اند که مستقیماً بر استفاده روزانه صاحبان خودرو تأثیر می گذارد.
با توجه به پاسخ مالک، "مشکل پس از دو به روز رسانی سیستم حل نشده است. مهم نیست که در صفحه ناوبری ثانویه AutoNavi Map در چه جهتی بچرخید، نشانگر جهت در گوشه سمت چپ بالا این است که به راست بپیچید و حرکت نکنید." "نقشه پس از ورود به تونل خراب می شود."
“پس از بزرگنمایی دستی نقشه در مسیریابی، حالت اصلی نقشه مسیر فعلی به طور خودکار قابل بازیابی نیست. به خوبی ناوبری نقشه روی تلفن همراه نیست.” تجربه کاربر را تحت تأثیر قرار دهد”. حتی خطای بزرگی در خطای نمایش نقشه وجود خواهد داشت، چرخاندن نقشه به چپ و نمایش آن به راست.
گزارش شده است که نقشه خودرو ایده آل ONE در حال حاضر با همکاری تامین کنندگان شخص ثالث AutoNavi، Tencent و غیره در حال توسعه است، اما در حال حاضر مشکلات زیادی در تطبیق نرم افزار و سخت افزار وجود دارد.
باتری های تیغه ای BYD یا تامین کننده تسلا
در 6 آگوست، امشب، دائماً اخبار بزرگی در مورد وسایل نقلیه جدید انرژی وجود دارد. یکی این است که کاخ سفید و خودروسازان جریان اصلی هر دو اعلام کردند که نسبت فروش خودروهای انرژی جدید ظرف ده سال نزدیک به 50٪ خواهد بود و خبر دیگر از BYD می آید.
گزارش شده است که BYD در شرف تامین تسلا است “باتری های تیغه ای” در سه ماهه دوم سال آینده، و مدل های تسلا در حال حاضر مجهز به “باتری های تیغه ای” وارد مرحله آزمایش نمونه C شده اند.
دیگران
شیائومی برای اولین بار از سامسونگ و اپل پیشی گرفت و رتبه اول را در بازار جهانی گوشی های هوشمند به خود اختصاص داد
اخبار در 6 آگوست رسانه های خارجی Neowin گزارش دادند که در ژوئن امسال، برند چینی تلفن همراه شیائومی برای اولین بار از سامسونگ و اپل پیشی گرفت و بازار جهانی گوشی های هوشمند را رهبری کرد.
طبق آخرین داده های Counterpoint Research، شیائومی 17.1 درصد از سهم بازار را به خود اختصاص داده و در رتبه اول جهان قرار دارد. سامسونگ با 15.7 درصد سهم به رتبه دوم سقوط کرد و اپل با سهم 14.3 درصد در رتبه سوم قرار گرفت.
اسMIC: فناوری FinFET به تولید رسیده است، 15000 قطعه در ماه
شب گذشته، SMIC گزارش مالی سه ماهه دوم خود را منتشر کرد. درآمد فروش برای سه ماهه دوم سال 2021 1.34 میلیارد دلار بود که نسبت به سال قبل 43.2 درصد افزایش داشت. سود ناخالص در سه ماهه دوم 405 میلیون دلار آمریکا بود که نسبت به مدت مشابه سال قبل 62.9 درصد افزایش داشت.
امروز صبح، ژائو هایجون، مدیرعامل SMIC، در کنفرانس سه ماهه دوم گفت: “فرآیند FinFET ما به تولید رسیده است، با 15000 قطعه در ماه، مشتریان متنوع و پلتفرم های مختلف محصول معرفی شده است. (این قسمت) ظرفیت تولید کم است و مشتریان مدام وارد می شوند.”
در حال حاضر، TSMC و سامسونگ هر دو از ساختارهای FinFET در بخش فرآیند 5 نانومتری/7 نانومتری استفاده میکنند، اما در انتخاب ساختار ترانزیستور برای نسل بعدی فرآیند 3 نانومتری تفاوتهایی وجود دارد. سامسونگ استفاده از ساختار GAA را انتخاب کرد، در حالی که TSMC به دلیل ملاحظات استحکام، استفاده از فناوری FinFET را در فرآیند 3 نانومتری نسل اول ادامه داد.
اخیرا کارخانه ریخته گری سامسونگ تراشه های 3 نانومتری را بر اساس معماری ترانزیستور گیت همه جانبه (GAA) و MBCFET (ترانزیستورهای اثر میدان چند کانالی) با استفاده از نانوصفحات تولید کرده است که می تواند عملکرد ترانزیستور را به میزان قابل توجهی افزایش دهد و عمدتاً جایگزین ترانزیستورهای FinFET شود. تکنولوژی. چارلی بائه، معاون اجرایی سامسونگ و مدیر فروش و بازاریابی ریخته گری، گفت: “گره فرآیند نسل بعدی (3 نانومتر) مبتنی بر ساختار GAA به سامسونگ این امکان را میدهد تا در گشودن یک دنیای جدید متصل هوشمند و در عین حال تقویت رهبری تکنولوژیک ما، پیشتاز باشد.”
بر اساس تجزیه و تحلیل، 2 نانومتر ممکن است گره فناوری برای انتقال کامل از ساختار FinFET به ساختار GAA باشد. پس از تجربه Planar FET و FinFET، ساختار ترانزیستور به ساختار GAAFET به عنوان یک کل تبدیل می شود. بر اساس طرح بین المللی نقشه راه دستگاه و سیستم (IRDS)، ساختار FinFET پس از 2021-2022 به تدریج با ساختار GAA جایگزین خواهد شد.
