Hardware mobilního telefonu
Oficiální oznámení řady Mi Pad 5: vydané společně s MIX 4 10. srpna, podporuje stylus
Xiaomi dnes oficiálně oznámilo, že dlouho očekávaná řada Xiaomi Mi Tablet 5 bude odhalena společně s Xiaomi MIX4 na tiskové konferenci 10. srpna.
Soudě podle jeho sloganu “Sni o životě, piš si sám” a plakáty, bude řada Mi Tablet 5 podporovat stylusová pera s pravoúhlými rámečky nebo rámečky z hliníkové slitiny.
Uvádí se, že všechny tři nové tablety Xiaomi jsou nyní dostupné v síti, včetně verze Snapdragon 860 (podporující rychlé nabíjení 33W) a dvou verzí rychlého nabíjení Snapdragon 870+67W. Nejvyšší modely podporují 5G a všechny tři modely používají 2K. 120Hz LCD obrazovka.
Nová energetická vozidla
Automapa Ideal ONE se stává nejhůře zasaženou oblastí pro stížnosti: síťová karta bude odpojena, zážitek není tak dobrý jako mobilní mapa
25. května byl 2021 Ideal ONE oficiálně uveden na trh a cena byla pouze symbolické navýšení o 10 000 juanů. Technologická konfigurace vozidla, zejména funkce asistovaného řízení L2, však výrazně zlepšila softwarové a hardwarové možnosti.
V poslední době však s nárůstem majitelů automobilů někteří majitelé automobilů objevili mnoho problémů s novým ideálním ONE, které ovlivnily uživatelský zážitek.
V poslední době si mnoho nových majitelů vozů Ideal ONE stěžovalo na problémy s automapami v komunitě Ideal APP. Problémy jako znehodnocování map a zavádějící mapy se objevovaly jeden za druhým, což přímo ovlivňuje každodenní používání majitelů automobilů.
Podle odpovědi majitele „nebyl problém vyřešen po dvou aktualizacích systému. Bez ohledu na to, jakým směrem se otočíte na sekundární navigační obrazovce AutoNavi Map, ukazatel směru v levém horním rohu má zahnout doprava a nehýbat se.“ "Mapa selže po vjezdu do tunelu."
“Po ručním oddálení mapy v navigaci nelze automaticky obnovit původní aktuální režim mapy trasy. Není tak dobrá jako mapová navigace v mobilu.” Ovlivňuje uživatelskou zkušenost”. Dokonce bude velká chyba v chybě zobrazení mapy, otočení mapy doleva a zobrazení doprava.
Uvádí se, že ideální automapa ONE je v současné době vyvíjena ve spolupráci s externími dodavateli AutoNavi, Tencent atd., ale v současné době existuje mnoho problémů s přizpůsobením softwaru a hardwaru.
BYD blade baterie nebo dodávají Tesla
6. srpna, dnes večer, neustále přicházejí velké zprávy o nových energetických vozidlech. Jedna je, že Bílý dům a mainstreamoví výrobci automobilů uvedli, že podíl prodeje nových energetických vozidel do deseti let se bude blížit 50 %, a druhá zpráva pochází od BYD.
Uvádí se, že BYD se chystá dodat Tesle “čepelové baterie” ve druhém čtvrtletí příštího roku a modely Tesla aktuálně vybavené “čepelové baterie” vstoupili do testovací fáze C-vzorku.
Ostatní
Xiaomi poprvé překonalo Samsung a Apple a zaujímá první místo v celosvětovém podílu na trhu smartphonů
Zprávy ze 6. srpna Zahraniční média Neowin uvedla, že v červnu tohoto roku čínská značka mobilních telefonů Xiaomi poprvé překonala Samsung a Apple, aby vedla globální trh smartphonů.
Podle nejnovějších údajů z Counterpoint Research zaujímá Xiaomi 17,1 % podílu na trhu a řadí se tak na první místo na světě. Na druhé místo se propadl Samsung s podílem 15,7 % a třetí se umístil Apple s podílem 14,3 %.
SMIC: Technologie FinFET dosáhla výroby, 15 000 kusů za měsíc
Včera večer SMIC zveřejnil finanční zprávu za druhé čtvrtletí. Tržby z prodeje za druhé čtvrtletí roku 2021 činily 1,34 miliardy USD, což představuje meziroční nárůst o 43,2 %. Hrubý zisk ve druhém čtvrtletí činil 405 milionů USD, což představuje meziroční nárůst o 62,9 %.
Dnes ráno Zhao Haijun, co-CEO společnosti SMIC, řekl v konferenčním hovoru ve druhém čtvrtletí: “Náš proces FinFET dosáhl výroby s 15 000 kusy měsíčně, diverzifikovali jsme zákazníky a byly představeny různé produktové platformy. (Tato část) Výrobní kapacita je nedostatečná a zákazníci stále přicházejí.”
V současnosti TSMC i Samsung používají struktury FinFET v segmentu 5nm/7nm procesů, ale existují rozdíly ve výběru struktury tranzistoru pro 3nm proces nové generace. Samsung se rozhodl použít strukturu GAA, zatímco TSMC se rozhodlo pokračovat v používání technologie FinFET v první generaci 3nm procesu z důvodu robustnosti.
Nedávno slévárna Samsungu vylepila 3nm čipy založené na tranzistorové architektuře gate-all-around (GAA) a vyrobila MBCFET (tranzistory s vícemůstkovými kanálovými efekty pole) pomocí nanolistů, které mohou výrazně zvýšit výkon tranzistorů a hlavně nahradit tranzistory FinFET. . Technologie. Charlie Bae, výkonný viceprezident společnosti Samsung a ředitel prodeje a marketingu sléváren, řekl: “Procesní uzel nové generace (3nm) založený na struktuře GAA umožní společnosti Samsung zaujmout vedoucí postavení při otevírání nového chytrého propojeného světa a zároveň posilovat naše technologické vedoucí postavení.”
Podle analýzy může být 2nm technologickým uzlem pro úplný přechod ze struktury FinFET na strukturu GAA. Po zkušenostech s Planar FET a FinFET přejde tranzistorová struktura na strukturu GAAFET jako celek. Podle plánu International Device and System Roadmap (IRDS) bude struktura FinFET po letech 2021-2022 postupně nahrazena strukturou GAA.
